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J-GLOBAL ID：200903098848406274

窒化物半導体装置

Inventor：
出口 忠義

About 出口 忠義


Applicant, Patent owner：
新日本無線株式会社

About 新日本無線株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005087891
Publication number (International publication number)：2006269880
Application date： Mar. 25, 2005
Publication date： Oct. 05, 2006
Summary：
【課題】 耐圧が高く、且つオン電圧が低い、新たなIII-V族窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】 III-V族窒化物半導体層からなる凸形状の第1の窒化物半導体層の側面に、微結晶構造の第2の窒化物半導体層が積層し、凸形状の上面に第1のアノード電極がショットキー接合し、側面に第2のアノード電極がショットキー接合する。また第2のアノード電極と第2の窒化物半導体層との間で形成される接合のショットキーバリアの高さが、第1のアノード電極と第1の窒化物半導体層との間で形成される接合のショットキーバリアの高さより高くなるように構成する。 【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、 基板上に、前記III-V族窒化物半導体層の第1の窒化物半導体層からなる凸部と、該凸部側面の前記第1の窒化物半導体層上に積層した、前記第1の窒化物半導体層よりも低い温度で成膜した前記III-V族窒化物半導体層からなる第2の窒化物半導体層と、前記凸部上面の前記第1の窒化物半導体層にショットキー接合する第1のアノード電極と、該第1のアノード電極に接続し、前記凸部側面の前記第2の窒化物半導体層にショットキー接合する前記第1のアノード電極と同一あるいは異なる金属からなる第2のアノード電極とを備え、 前記第2のアノード電極と前記第2の窒化物半導体層との間で形成される接合のショットキーバリアの高さが、前記第1のアノード電極と前記第1の窒化物半導体層との間で形成される接合のショットキーバリアの高さより高いことを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/872 ,  H01L 29/47
FI (2)：
H01L29/48 ,  H01L29/48 D
F-Term (8)：
4M104AA04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104CC03 ,  4M104FF04 ,  4M104FF26 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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