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J-GLOBAL ID：200903098917092805

半導体記憶装置

Inventor： 杉林 直彦 ,  成竹 功夫
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995236508
Publication number (International publication number)：1997082086
Application date： Sep. 14, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 従来のDRAMは各々のメモリセルの情報を読み出した後に、主ビット線をプリチャージして初期化する必要があることから、選択されたリード線につながるすべてのセルからデータを連続的に読み出すことができず、データの読み出しに休止期間を必要とするという問題点があった。【解決手段】 主ビット線にラッチ回路を設けて主ビット線上のデータをラッチさせ、このラッチ回路のラッチデータに対するデータリード動作の間に主ビット線の初期化を行ない次の副ビット線から主ビット線へのデータ転送を行う。

Claim (excerpt)：

複数の副ビット線が一つのセンスアンプを共有し、それぞれの副ビット線上のデータを前記センスアンプを介して主ビット線に時分割に転送する半導体記憶装置において、前記主ビット線にラッチ回路を設けて前記主ビット線上のデータをラッチさせ、前記ラッチ回路のラッチデータに対するデータリードの期間中に前記主ビット線への次の副ビット線からのデータ転送を行うことを特徴とする半導体記憶装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ダイナミック型半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-331238   Applicant：株式会社東芝
• 特開平1-138685
  
• 特開平1-138686