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J-GLOBAL ID：200903098941725258

半導体装置および電源電圧発生回路

Inventor： 大石 司
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995130902
Publication number (International publication number)：1996190437
Application date： May. 30, 1995
Publication date： Jul. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】 安定に内部電源電圧を生成することのできる高周波応答特性に優れた内部電源電圧発生回路を提供する。【構成】 比較回路3は、基準電圧発生回路4から基準電圧Vrefと内部電源線5上の内部電源電圧VCIを比較し、その比較結果に従った信号を出力する。ドライブトランジスタ2はこの比較回路3の出力信号に従って外部電源ノード1から内部電源線5へ電流を供給する。外部電源ノード1と比較回路3の出力ノード6の間に接続された抵抗素子Z1およびこのノード6と接地ノードVSSの間に接続された抵抗素子Z2は、比較回路3の出力信号の振幅を抑制する。これによりドライブトランジスタ2のオーバードライブを抑制することができるとともに、振幅制限機能により高速で急激な内部電源電圧の変化に対応して外部電源ノード1から内部電源線へ電流を供給することができる。

Claim (excerpt)：

第1のノード上の電圧と所定の基準電圧とを比較する比較手段と、所定のレベルの電圧が印加される第2のノードと前記第1のノードとの間に接続され、前記比較手段の出力信号に従って前記第2のノードから前記第1のノードへ電流を供給するためのドライブ素子と、前記比較手段の出力信号の振幅の変化を抑制するための振幅抑制手段を備える、半導体装置。

IPC (4)：

G05F 1/56 310 ,  G05F 3/24 ,  G11C 11/407 ,  H03F 3/45

FI (2)：

G11C 11/34 354 F ,  G11C 11/34 354 E

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開昭61-195415
  
• 半導体集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-051710   Applicant：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• 特開平3-063805
  
• 特開平4-024813
  

Cited by examiner (4)

• 半導体集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-051710   Applicant：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• 特開昭61-195415
  
• 特開平3-063805
  
• 特開平4-024813