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J-GLOBAL ID：200903098962632144

炭素を含むIV族半導体素子及びその製造方法

Inventor： 藤本 英俊 ,  上本 勉 ,  アシュラフ ウディン
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992207634
Publication number (International publication number)：1994061475
Application date： Aug. 04, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は低抵抗で良好なオーミック特性を示す電極を有する炭素を含むIV族半導体を形成することを目的とする。【構成】 SiC半導体層表面にオーミック接続したNi電極膜と、このNi電極膜上に形成されたAl電極膜を具備することを特徴とする半導体素子。【効果】 高効率、高特性半導体素子を提供する事ができる。

Claim (excerpt)：

炭素を含むIV族半導体層と、この炭素を含むIV族半導体層表面に順次形成されたNi層及びAl層からなるオーミック電極とを具備することを特徴とする炭素を含むIV族半導体素子。

IPC (2)：

H01L 29/46 ,  H01L 21/28 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開昭58-138027
  
• 特開平1-268121
  
• 特開昭49-052969
  
• n型SiC用電極とその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-055936   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開昭59-124162
  
• 特開昭63-177553