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J-GLOBAL ID：200903098966876463
パターン形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992347385
Publication number (International publication number)：1994202146
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 パターン形成方法に関し, パターンの側面を連続的にテーパ形状にして,例えば, 透明電極膜の被覆性を向上して薄膜トランジスタマトリクス基板の製造歩留と信頼性を向上することを目的とする。【構成】 1)基板上に使用するエッチャントに対してエッチングレートの異なる物質を厚み方向に存在比を変え且つエッチングレートの大きい物質の存在比が表面に向かって大きくなるようにこれらの物質からなる混合膜を堆積する工程と, 該混合膜を前記エッチャントを用いてパターニングするように構成する。2)前記エッチャントが少なくともりん酸と硝酸の混合液であって, りん酸に対し硝酸を重量比で 1/300以上を含み,前記エッチングレートの異なる物質がAlとMoであり,厚み方向の存在比が基板側でAl大きく, 表面側でMoが大きいようにこうせいする。
Claim (excerpt)：
基板上に, 使用するエッチャントに対してエッチングレートの異なる物質を厚み方向に存在比を変え且つエッチングレートの大きい物質の存在比が表面に向かって大きくなるようにこれらの物質からなる混合膜を堆積する工程と,該混合膜を前記エッチャントを用いてパターニングすることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (5)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 21/306
, H01L 21/3205
, H01L 29/784
H01L 21/88 C
, H01L 29/78 311 F
