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J-GLOBAL ID：200903098967685823

磁性制御方法

Inventor： 江村 修一 ,  朝日 一 ,  周 逸凱
Applicant, Patent owner： 国立大学法人大阪大学
Agent (1)： 新居 広守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006319153
Publication number (International publication number)：2008135480
Application date： Nov. 27, 2006
Publication date： Jun. 12, 2008
Summary：

【課題】強磁性から常磁性への転移が必要とされる、強磁性体を用いたデバイスを小型化することが可能な磁性制御方法を提供する。【解決手段】強磁性半導体110の強磁性を常磁性に転移させる方法であって、光照射又は電界印加により強磁性半導体110に強磁性半導体110のバンドギャップエネルギー以上のエネルギーを与えて強磁性半導体110内に伝導電子を発生させ、該伝導電子により強磁性半導体110における強磁性を担うイオンの価数を変化させて強磁性半導体110の強磁性を常磁性に転移させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

強磁性体の強磁性を常磁性に転移させる方法であって、 前記強磁性体内に伝導電子又は正孔を発生させ、前記伝導電子又は正孔を前記強磁性体の強磁性を担う元素にトラップさせることにより前記転移を行わせる ことを特徴とする磁性制御方法。

IPC (7)：

H01L 29/82 ,  H01F 10/193 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 33/00 ,  G02F 1/01 ,  H01F 1/40

FI (6)：

H01L29/82 Z ,  H01F10/193 ,  H01L27/10 447 ,  H01L33/00 C ,  G02F1/01 F ,  H01F1/00 A

F-Term (29)：

2H079AA02 ,  2H079AA03 ,  2H079AA08 ,  2H079BA02 ,  2H079CA23 ,  2H079DA16 ,  2H079EA08 ,  2H079KA05 ,  4M119AA20 ,  4M119BB20 ,  4M119CC01 ,  4M119CC07 ,  4M119DD01 ,  4M119JJ01 ,  5E040AA20 ,  5E040CA06 ,  5E040CA11 ,  5E049AA10 ,  5E049BA06 ,  5E049DB04 ,  5F041AA47 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041EE25 ,  5F041FF16 ,  5F092AB06 ,  5F092AC30 ,  5F092BD07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• III-V族半導体材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-329166   Applicant：株式会社アルバック