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J-GLOBAL ID：200903098971924131

GaN基板作製方法

Inventor： 八百 隆文 ,  鈴木 拓馬 ,  高 恒柱 ,  アグス セティアワン
Applicant, Patent owner： 株式会社東北テクノアーチ
Agent (6)： 重信 和男 ,  加古 進 ,  清水 英雄 ,  高木 祐一 ,  日高 一樹 ,  渡邉 知子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003075480
Publication number (International publication number)：2004284831
Application date： Mar. 19, 2003
Publication date： Oct. 14, 2004
Summary：

【課題】極性を制御してGaN基板を作製する方法の提供【解決手段】高品質基板110上に、MgOのバッファ層120を形成し、アニール処理をした後、ZnO単結晶膜130を形成する。その後、ZnO膜130の表面の初期窒化を防ぐ処理する(e)ことで、その上に単結晶膜を成長させるGaN140の結晶極性をGa極性とする(f)。GaNの単結晶膜140を成長させた後、ZnOを溶かしてGaN単結晶基板を剥離する(g)。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

高品質基板上に、ZnO膜を成長させ、 ZnO膜上に極性制御してGaN層を成長させ、 ZnO膜を溶解させる ことで、GaN基板を作製することを特徴とするGaN基板作製方法。

IPC (1)：

C30B29/38

FI (1)：

C30B29/38 D

F-Term (11)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EF02 ,  4G077EF03 ,  4G077FH09 ,  4G077FJ03 ,  4G077TC13 ,  4G077TC14 ,  4G077TC16 ,  4G077TK11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• GaN単結晶およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-242967   Applicant：三菱電線工業株式会社
• III族窒化物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-354572   Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
• 窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-322133   Applicant：豊田合成株式会社
• 半導体薄膜の形成方法およびその方法を用いて製造された半導体薄膜付き基板およびその半導体薄膜付き基板を用いた半導体デバイス。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-071746   Applicant：吉川明彦, 双葉電子工業株式会社

Cited by examiner (3)

• GaN単結晶およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-242967   Applicant：三菱電線工業株式会社
• III族窒化物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-354572   Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
• 窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-322133   Applicant：豊田合成株式会社