半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994130232
Publication number (International publication number)：1995335612
Application date： Jun. 13, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 LSI製造において、高選択比、高精度のエッチングを実現する。【構成】半導体基板上の薄膜をドライエッチングするに際し、プラズマ中で準安定状態に励起させた不活性ガスと、フロン系ガスとを相互作用させて所望の解離種を選択的に得ることにより、反応ガスの解離種の組成制御を精密に行う。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の薄膜をドライエッチングするに際し、プラズマ中で準安定状態に励起させた不活性ガスと、前記薄膜のドライエッチングに必要な反応ガスとを相互作用させて所望の解離種を選択的に得ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭63-009935
特開平4-170026
特開昭55-095327

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