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J-GLOBAL ID：200903010603709650

表面処理方法および表面処理装置

Inventor： 酒井 隆行 ,  林 久貴 ,  岡野 晴雄 ,  高木 茂行 ,  内田 裕
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994144862
Publication number (International publication number)：1995074145
Application date： Jun. 27, 1994
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 フロロカーボン系ガスを用いた半導体プロセスにおけるエッチングの選択性を向上する。【構成】 本発明の特徴は、基板に入射するエネルギーを、窒化シリコン膜上でエッチングから堆積に移行するエネルギー値に制御し、(CF2 )n + を主成分とするイオンを基板上に導くことによって、窒化シリコン膜に対して選択的に酸化シリコン膜をエッチングすることにある。

Claim (excerpt)：

フロロカーボン系ガスを用いて、半導体基板表面の加工処理を行う表面処理方法において、前記フロロカーボン系ガスを含むガスを供給するガス供給工程と、前記フロロカーボン系ガスの励起によりイオンを生成し、前記イオンのうち(CF2 )n + (n=1,2,3......)を主成分とするイオンを、前記半導体基板上に導くように制御し、シリコン窒化膜に対して選択的にシリコン酸化膜をエッチングするエッチング工程とを含むことを特徴とする表面処理方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-030743   Applicant：住友金属工業株式会社, 三菱電機株式会社
• 半導体集積回路装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-130232   Applicant：株式会社日立製作所