半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：白井重隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999286437
Publication number (International publication number)：2001064688
Application date： Oct. 07, 1999
Publication date： Mar. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】環境への負荷が少なく、かつ、化学的機械研磨(CMP)後に、半導体基板などの半導体部品上に残った不純物に対して洗浄効果の高い洗浄剤、および、半導体基板などの半導体部品、記録媒体部品および光学用部品などの表面を研磨するために使用される研磨用組成物を提供すること。【解決手段】スルホン酸(塩)基を有する単量体、カルボン酸(塩)基を有する単量体、水酸基を有する単量体およびエチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイドに由来する骨格を有する単量体の群から選ばれた少なくとも1種の単量体、ならびに窒素原子を有する単量体からなる単量体成分を共重合してなる共重合体(塩)を主成分とする半導体部品用洗浄剤、ならびに、上記半導体部品用洗浄剤からなる研磨助剤を含有する研磨用組成物。

Claim (excerpt)：

(a)スルホン酸(塩)基を有する単量体、カルボン酸(塩)基を有する単量体、水酸基を有する単量体およびエチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイドに由来する骨格を有する単量体の群から選ばれた少なくとも1種の単量体、ならびに(b)窒素原子を有する単量体、からなる単量体成分を共重合してなる共重合体(塩)を主成分とする半導体部品用洗浄剤。

IPC (5)：

C11D 7/32 , C11D 3/14 , C11D 3/37 , C11D 7/34 , H01L 21/304 647

FI (5)：

C11D 7/32 , C11D 3/14 , C11D 3/37 , C11D 7/34 , H01L 21/304 647 A

F-Term (13)：

4H003AB03 , 4H003AB46 , 4H003AE05 , 4H003BA12 , 4H003DA15 , 4H003DA16 , 4H003DB01 , 4H003EB28 , 4H003EB30 , 4H003ED02 , 4H003ED29 , 4H003FA03 , 4H003FA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

アルカリ洗浄剤用組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-208555 Applicant：東亞合成化学工業株式会社
半導体基板の洗浄液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-008702 Applicant：三菱瓦斯化学株式会社
籾すり精米機
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-221689 Applicant：株式会社細川製作所

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