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J-GLOBAL ID：200903099092452320

超電導層及びその製造方法

Inventor： 荒木 猛司 ,  丹羽 利治 ,  室賀 岳海 ,  山田 穣 ,  平林 泉
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  中部電力株式会社 ,  日立電線株式会社 ,  財団法人国際超電導産業技術研究センター
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002059398
Publication number (International publication number)：2003257259
Application date： Mar. 05, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】TFA-MOD法により臨界電流値が高い超電導層を製造可能とすること。【解決手段】本発明の超電導層の製造方法は、イットリウム及びランタノイドからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属とバリウムと銅とのトリフルオロ酢酸塩を溶媒中に溶解させてコーティング溶液を調製する工程と、前記コーティング溶液を基板の一主面上に塗布して塗膜を形成する工程と、酸素を含んだ雰囲気中で前記塗膜を仮焼成する工程と、水蒸気を含んだ雰囲気中で及び前記仮焼成よりも高い温度で前記仮焼成後の前記塗膜を本焼成する工程とを含み、前記仮焼成後であり且つ前記本焼成前の前記塗膜に含まれる酸化銅粒子の平均粒径が25nm以下となるように前記仮焼成を行うことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板の一主面上に設けられた超電導層であって、イットリウム及びランタノイドからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属とバリウムと銅と酸素とを含有した酸化物超電導体を含み、前記主面からの距離が50nm以上であり且つ前記超電導層の厚さの70%以下の範囲内にある前記主面に平行な前記超電導層のいずれかの断面を観察した場合に酸化銅粒子断面の前記超電導層の断面に対する面積比が1/100以下であることを特徴とする超電導層。

IPC (3)：

H01B 12/06 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA

FI (3)：

H01B 12/06 ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/24 ZAA B

F-Term (12)：

4M113AD36 ,  4M113BA23 ,  4M113BA29 ,  4M113CA34 ,  5G321AA04 ,  5G321BA03 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321DB22 ,  5G321DB25 ,  5G321DB46 ,  5G321DB47

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 金属オキシフッ化物の超伝導性酸化物への制御された変換
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平11-504767   Applicant：マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジー
• 酸化物超電導体の製造方法、酸化物超電導体用原料、および酸化物超電導体用原料の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-269251   Applicant：株式会社東芝, 日本特殊陶業株式会社, 財団法人国際超電導産業技術研究センター