Pat

J-GLOBAL ID：200903099125734296

3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 佐々 道成 ,  小出 典克 ,  小池 正好
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994286049
Publication number (International publication number)：1996125223
Application date： Oct. 25, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】サファイア基板上の3族窒化物半導体の結晶性を向上させ発光輝度を向上させる。【構成】サファイア基板1上に、500 ÅのAl0.1Ga0.83In0.07Nのバッファ層2、膜厚約2.0 μm、電子濃度2 ×1018/cm3のSiドープGaN の高キャリア濃度n+ 層3、膜厚約2.0 μm、電子濃度 2×1018/cm3のSiドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N の高キャリア濃度n+ 層4、膜厚約0.5 μm、Mg、Zn及びSiドープの(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1N のp伝導型の発光層5、膜厚約1.0 μm、ホール濃度2 ×1017/cm3のMgドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N のp層61、膜厚約0.2 μm、ホール濃度 5×1017/cm3、Mg濃度1 ×1020/cm3のMgドープのGaN から成る第2コンタクト層62、膜厚約500 Å、ホール濃度 2×1017/cm3、Mg濃度 2×1020/cm3のMgドープのGaN から成る第1コンタクト層63が形成。

Claim (excerpt)：

サファイア基板と、3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) から成る複数の層で構成された発光部とを有する発光素子において、前記サファイア基板上に、温度300°C〜800°Cにおいて、非晶質のAlXGaYIn1-X-YN;X+Y≠1 が厚さ100Å〜500Åに形成されたバッファ層を有し、前記バッファ層上に前記発光部の各層を形成したことを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒素-3属元素化合物半導体発光素子及び製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-316596   Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
• 特開平4-209577