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J-GLOBAL ID：200903099394590403

化合物半導体エピタキシャルウェハ及び半導体素子

Inventor： 坂口 春典
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994227689
Publication number (International publication number)：1996097442
Application date： Sep. 22, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】キャリアプロファイルが急峻なpn接合を有する結晶欠陥の少ない可変容量ダイオード用エピタキシャルウェハを得る。【構成】n+ 型GaAs基板上に、キャリア濃度が厚さ方向に変化しているn型GaAs層と、高濃度のp+ 型GaAs層とを順次積層して可変容量ダイオード用の化合物半導体エピタキシャルウェハを作製する。このエピタキシャルウェハを構成するp+ 型GaAs層中のアクセプタ不純物は亜鉛ではなく、炭素とする。アクセプタを炭素とすることにより、GaAs中の拡散係数がはるかに小さく、pn接合界面のキャリアプロファイルが急峻になり、結晶欠陥も作成されにくくなる。

Claim (excerpt)：

n+ 型GaAs基板上に、キャリア濃度が厚さ方向に変化しているn型GaAs層と、高濃度のp+ 型GaAs層とを順次積層した可変容量ダイオード用の化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、上記p+ 型GaAs層中のアクセプタを炭素としたことを特徴とする化合物半導体エピタキシャルウェハ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 化合物半導体素子およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-196613   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開昭50-156358