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J-GLOBAL ID：200903099402615100
電界効果型素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993295198
Publication number (International publication number)：1995147409
Application date： Nov. 25, 1993
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：
【要約】【目的】 低電圧で駆動し、オン電流およびオン・オフ比が大きく、かつ低温プロセスで柔軟性に富んだ半導体薄膜を形成でき大面積化・大規模集積化に対応できる電界効果型素子を提供する。【構成】 基板11上に形成されたソース電極14およびドレイン電極15と、ソース電極14とドレイン電極15との間に形成されたフラーレン薄膜16からなる半導体層と、フラーレン薄膜16からなる半導体層のチャネル領域に隣接して順次形成された絶縁膜13およびゲート電極12とを有する。
Claim (excerpt)：
基板上に互いに分離して形成されたソース電極およびドレイン電極と、該ソース電極とドレイン電極との間のチャネル領域を構成するフラーレン薄膜からなる半導体層と、該フラーレン薄膜からなる半導体層のチャネル領域と隣接して順次形成された絶縁膜およびゲート電極とを具備したことを特徴とする電界効果型素子。
Patent cited by the Patent：
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