中性子偏極装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：西澤利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005318621
Publication number (International publication number)：2007128681
Application date： Nov. 01, 2005
Publication date： May. 24, 2007
Summary：

【課題】これまでにない極めて高い偏極度に中性子を偏極することができる中性子偏極装置を提供する。【解決手段】この出願の発明による中性子偏極装置(1)は、中性子ビームを入射して中性子のスピンと磁場との相互作用により偏極した中性子ビームを得るものであり、中性子ビームの通路の周囲に配置される四極磁石(2)と、四極磁石(2)の内部に中性子の軸方向に沿って設けられた筒状の中性子吸収材(3)と、四極磁石(2)の出口に配置され、四極磁石(2)による四極磁場から断熱的に磁場を接続させ、且つ二極磁場を印加させるソレノイドコイル(4)を備えることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

中性子ビームを入射して中性子のスピンと磁場との相互作用により偏極した中性子ビームを得るための中性子偏極装置であって、中性子ビームの通路の周囲に配置される四極磁石と、四極磁石の内部に中性子の軸方向に沿って設けられた筒状の中性子吸収材と、四極磁石の出口に配置され、四極磁石による四極磁場から断熱的に磁場を接続させ、且つ二極磁場を印加させるソレノイドコイルを備えることを特徴とする中性子偏極装置。

IPC (4)：

H05H 3/06 , G21K 1/16 , G21K 1/00 , G21K 1/08

FI (4)：

H05H3/06 , G21K1/16 , G21K1/00 N , G21K1/08

F-Term (7)：

2G085BA15 , 2G085BC01 , 2G085BC02 , 2G085BC03 , 2G085BC06 , 2G085DA01 , 2G085EA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

中性子ビームの制御方法及び制御装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-048237 Applicant：理化学研究所

Cited by examiner (7)

中性子ビームの制御方法及び制御装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-048237 Applicant：理化学研究所
特開昭50-017279
特開昭50-017279

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