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J-GLOBAL ID：200903099462803224

薄膜製造方法及び薄膜製造装置

Inventor： 宮地 栄 ,  大谷 篤史 ,  片山 雅之
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000032620
Publication number (International publication number)：2001220677
Application date： Feb. 03, 2000
Publication date： Aug. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】 成膜室に対して原料ガスの供給とパージガスの供給とを交互に繰り返して行うことにより製造される薄膜において、原料ガスの凝集の防止と良好な生産性とを両立させるような薄膜製造方法を提供する。【解決手段】 成膜室10に対して排気能力の異なる2個の排気通路30、40を設け、原料ガス供給時には、排気能力の小さいポンプ31を有する排気通路30にて排気を行い、パージガス供給時には、排気能力の大きいポンプ41を有する排気通路40にて排気を行うように、各排気バルブ32、42を切り替える。それにより、原料ガス供給時には、成膜室10内の圧力をパージガス供給時よりも大きくすることができる。

Claim (excerpt)：

薄膜が成膜される成膜室(10)に対して原料ガスの供給と該原料ガスを前記成膜室から排気するためのパージガスの供給とを交互に繰り返して行う薄膜製造方法において、前記原料ガスの供給を行うときは、前記成膜室内の圧力を前記パージガスの供給を行うときよりも大きく、前記パージガスの供給を行うときは、前記成膜室内の圧力を前記原料ガスの供給を行うときよりも小さくすることを特徴とする薄膜製造方法。

F-Term (4)：

4K030AA03 ,  4K030BA43 ,  4K030EA01 ,  4K030EA11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-344581   Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (1)

• 結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-344581   Applicant：富士通株式会社