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J-GLOBAL ID：200903099492689787

発光装置およびその作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平

, 
瀬尾 哲史

About 瀬尾 哲史

, 
桑原 秀明

About 桑原 秀明


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002125970
Publication number (International publication number)：2003317971
Application date： Apr. 26, 2002
Publication date： Nov. 07, 2003
Summary：
【要約】【課題】 有機化合物層において生じた光の全てが透明電極である陰極からTFTの方へ取り出されるわけではなく、例えば、横方向(基板面と平行な方向)にも発光されるが、結果的にこの横方向に発光する光は取り出されないため、ロスになっていた。そこで、本発明は、発光素子において、ある一方向に取り出す発光量を増加させる構造とした発光装置を提供することを課題とする。【解決手段】 本発明は、第1の電極18の端部を覆う絶縁物19の上端部に曲率半径を有する曲面を形成し、該曲面に合わせて第2の電極23aに中央部から端部に向かって斜面が形成される。第2の電極23a上に形成された有機化合物層20からの発光を第2の電極23aの斜面で反射させて、図1(A)中に示した矢印方向におけるトータルの光の取り出し量を増加させる。
Claim (excerpt)：
絶縁表面を有する基板上に、薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタのソース領域またはドレイン領域と接続された第1の電極と、該第1の電極の端部を覆う絶縁物と、該絶縁物の側面を覆い、且つ、前記第1の電極と接する第2の電極と、該第2の電極上に接する有機化合物を含む層と、該層上に接する第3の電極とを有する発光素子を複数有することを特徴とする発光装置。
IPC (6)：
H05B 33/26 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22
FI (6)：
H05B 33/26 Z ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/12 E ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 Z
F-Term (7)：
3K007AB03 ,  3K007AB17 ,  3K007BB01 ,  3K007BB06 ,  3K007CB01 ,  3K007CC01 ,  3K007DB03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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