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J-GLOBAL ID:200903099549254634

水素ガス生成装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 五十嵐 孝雄 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000330028
Publication number (International publication number):2002137903
Application date: Oct. 30, 2000
Publication date: May. 14, 2002
Summary:
【要約】【課題】 ケミカルハイドライドと呼ばれる金属水素化物の加水分解反応の反応率を向上し、効率的に水素ガスを生成する。【解決手段】 加水分解して水素を生成する金属水素化物12を反応器11に固定する。ポンプ13で加圧された水を金属水素化物12に噴射する。水の圧力および噴射位置は、加水分解によって生成される生成物を金属水素化物12の表面から剥離除去可能な程度に調整する。生成物の被覆が金属水素化物と水の接触を阻害することを回避でき、反応率を向上させることができる。その他、金属水素化物を水中で振動させる方法、金属水素化物を粉塵爆発が生じる程度まで微粉化させて反応させる方法によっても、生成物の被覆による反応阻害を回避でき、反応率を向上させることができる。
Claim (excerpt):
金属水素化物の加水分解反応によって水素を生成させる反応部と、該反応部において、未反応の前記金属水素化物の表面を被覆する前記反応の生成物の量を抑制する被覆抑制機構とを備える水素ガス生成装置。
IPC (4):
C01B 3/10 ,  H01M 8/00 ,  H01M 8/04 ,  H01M 8/06
FI (4):
C01B 3/10 ,  H01M 8/00 Z ,  H01M 8/04 J ,  H01M 8/06 R
F-Term (3):
5H027AA04 ,  5H027AA06 ,  5H027BA14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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