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J-GLOBAL ID：200903099561144739

堆積膜の製造装置およびその製造方法

Inventor：
村山 仁

About 村山 仁


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 長尾 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995104669
Publication number (International publication number)：1996277472
Application date： Apr. 04, 1995
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：
【要約】【目的】本発明は、膜厚、膜質の均一な大面積の成膜が可能な堆積膜の製造装置およびその製造方法、特に、a-Si系感光体における特性向上に不可欠ともいうべき大面積プラズマの均一化を達成し、その特性向上を実現し得る堆積膜の製造装置およびその製造方法を提供することを目的とするものである。【構成】本発明は上記目的を達成するために、成膜空間を有する反応容器内に少なくとも原料ガスと高周波電力を導入する手段を有し、前記反応容器内の基体上に堆積膜を形成するプラズマCVD法による堆積膜の製造装置において、前記高周波電力を導入する手段がその高周波電力の供給比率を調整することにより高周波電力を前記成膜空間内に均一に供給する高周波電力供給用電極により構成したものである。
Claim (excerpt)：
【請求項l】 成膜空間を有する反応容器内に少なくとも原料ガスと高周波電力を導入する手段を有し、前記反応容器内の基体上に堆積膜を形成するプラズマCVD法による堆積膜の製造装置において、前記高周波電力を導入する手段がその高周波電力の供給比率を調整することにより高周波電力を前記成膜空間内に均一に供給する高周波電力供給用電極により構成されていることを特徴とする堆積膜の製造装置。
IPC (5)：
C23C 16/50 ,  G03G 5/08 105 ,  G03G 5/08 360 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46
FI (5)：
C23C 16/50 ,  G03G 5/08 105 ,  G03G 5/08 360 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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