Pat
J-GLOBAL ID：200903099564553478

磁気記憶装置

Inventor：
玉野井 健

About 玉野井 健


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007121010
Publication number (International publication number)：2008277621
Application date： May. 01, 2007
Publication date： Nov. 13, 2008
Summary：
【課題】比較的簡素な構成で一対の電流配線を要することなく効率良く確実な磁化反転を可能とし、装置の更なる微小化を可能とする信頼性の高い磁気記憶装置を実現する。【解決手段】少なくとも磁化反転層4の両側面、ここでは絶縁層3、磁化反転層4及びキャリア注入層5からなる積層体の両側面に、絶縁層6及び非磁性金属層、ここではRu層7を介して、一対の磁化制御層8を設ける。キャリア注入層5は、SrTiO3から、磁化制御層8はGdFeCo,GdDyFeCo,GdNdFeCo等の希土類遷移金属合金から形成する。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
磁化方向が固定されている固定磁化層と、前記固定磁化層の磁化方向に対して平行又は反平行に磁化方向が反転される磁化反転層とが、絶縁層を介して積層されており、 前記固定磁化層上に、当該固定磁化層にキャリア電子を与えるキャリア注入層と、 前記磁化反転層の磁化方向を前記反平行とする際に、前記磁化反転層に前記反平行の磁場を印加する磁化制御層と を含むことを特徴とする磁気記憶装置。
IPC (3)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (2)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z
F-Term (27)：
4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC07 ,  4M119DD02 ,  4M119DD06 ,  4M119DD33 ,  4M119DD55 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF13 ,  4M119FF14 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  4M119GG02 ,  5F092AA12 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092AD30 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB53 ,  5F092BB90 ,  5F092BC43
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM