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J-GLOBAL ID：200903099569436909

セラミックス回路基板およびそれを用いた半導体モジュール

Inventor：
那波 隆之

About 那波 隆之


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 波多野 久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001197165
Publication number (International publication number)：2003017627
Application date： Jun. 28, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：
【要約】【課題】金属回路板等の接合部の半田層やセラミックス基板に熱応力や反りによるクラックが発生することを効果的に防止でき、長期間に亘って優れた耐久性と高い信頼性が得られるセラミックス回路基板およびそれを用いた半導体モジュールを提供する。【解決手段】セラミックス基板2の表面側に金属回路板4を接合する一方、裏面側に裏金属板5aを接合したセラミックス回路基板1aにおいて、裏金属板5aに、上記金属回路板4の厚さの10〜90%の深さを有する熱応力緩和部3を設けるとともに、上記金属回路板4の体積に対する裏金属板5aの体積の比が0.6以下であることを特徴とするセラミックス回路基板1aである。
Claim (excerpt)：
セラミックス基板の表面側に金属回路板を接合する一方、裏面側に裏金属板を接合したセラミックス回路基板において、裏金属板に、上記金属回路板の厚さの10〜90%の深さを有する熱応力緩和部を設けるとともに、上記金属回路板の体積に対する裏金属板の体積の比が0.6以下であることを特徴とするセラミックス回路基板。
IPC (5)：
H01L 23/13 ,  C04B 37/02 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/36 ,  H05K 1/02
FI (5)：
C04B 37/02 C ,  H05K 1/02 F ,  H01L 23/12 C ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/36 C
F-Term (26)：
4G026BA03 ,  4G026BA05 ,  4G026BA16 ,  4G026BA17 ,  4G026BB22 ,  4G026BB27 ,  4G026BC02 ,  4G026BF16 ,  4G026BG02 ,  4G026BG03 ,  4G026BG27 ,  4G026BH07 ,  5E338AA01 ,  5E338AA18 ,  5E338BB71 ,  5E338BB75 ,  5E338CC01 ,  5E338CD11 ,  5E338EE01 ,  5E338EE02 ,  5E338EE28 ,  5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BB21 ,  5F036BC05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • セラミツクス回路基板
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-294568   Applicant：株式会社東芝
  • 電力用半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-217762   Applicant：株式会社明電舎
  • 半導体モジュール基板及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-241798   Applicant：三菱電機株式会社
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