面発光型半導体レーザ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997039580
Publication number (International publication number)：1998242560
Application date： Feb. 24, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】面発光型半導体レーザのレーザ発光特性を損なうことなく、レーザ光の偏光面を制御できる構造を備えた面発光型半導体レーザを提供すること。【解決手段】基板と垂直な方向にレーザ光を出射する面発光型半導体レーザにおいて、p型クラッド層107の途中までエッチングされた柱状部分115が形成される。この柱状部分115の周囲を絶縁層111で埋め込み、さらに側面金属層112は、この絶縁層111上に、柱状部分115を挟んで対向するように形成されている。さらに側面金属層112は、コンタクト層110上に円形の開口116を有する様に形成されたコンタクト金属層113と連続しており、電流注入のための電極も兼ねている。

Claim (excerpt)：

基板上に一対の反射ミラーと、前記一対の反射ミラーの間に形成され、少なくとも活性層及びクラッド層を含む多層の半導体層と、を有する光共振器が形成された前記基板と垂直な方向にレーザ光を出射する面発光型半導体レーザにおいて、前記光共振器は、前記多層の半導体層の上層側が柱状に形成された柱状部分とされ、前記柱状部分の端面に望んで開口を有する上部電極がさらに設けられ、前記柱状部分の基板に対して平行方向の横断面形状が円形であり、前記柱状部分の側面に金属層が、柱状部分を中心として対向する位置に形成されたことを特徴とする面発光型半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-168545 Applicant：日本電気株式会社
面発光レーザ及び面発光レーザアレイ及び光情報処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-049638 Applicant：日本電気株式会社
半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-241474 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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