Pat
J-GLOBAL ID:200903099672817430

光電変換素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 梶山 佶是 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000088188
Publication number (International publication number):2001273938
Application date: Mar. 28, 2000
Publication date: Oct. 05, 2001
Summary:
【要約】【課題】 電解液のゲル化により漏液を防止すると共に、電解液のゲル化で光電変換特性が低下しない、新規なゲル電解質を用いた光電変換素子素子を提供する。【解決手段】 少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層とを有する光電変換素子において、前記電解質層を、少なくとも、2官能性以上のビニルモノマーを51重量%以上含有する架橋性物質と、溶媒と、酸化還元系構成物質とからなる混合溶液を重合させることにより生成されたゲル状電解質から形成する。
Claim (excerpt):
少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層とを有する光電変換素子において、前記電解質層が、少なくとも、2官能性以上のビニルモノマーを51重量%以上含有する架橋性物質と、溶媒と、酸化還元系構成物質とからなる混合溶液を重合させることにより生成されたゲル状電解質から形成されていることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2):
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2):
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
F-Term (15):
5F051AA14 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB07 ,  5H032CC06 ,  5H032CC17 ,  5H032EE03 ,  5H032EE04 ,  5H032EE07 ,  5H032EE08 ,  5H032EE14 ,  5H032EE16 ,  5H032HH01 ,  5H032HH04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
Show all

Return to Previous Page