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J-GLOBAL ID:200903099682656869

電気素子の接合材料および接合方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 伊藤 洋二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995140175
Publication number (International publication number):1996181392
Application date: Jun. 07, 1995
Publication date: Jul. 12, 1996
Summary:
【要約】【目的】 十分な接着強度と安定した電気的接続を得るように半導体素子を台座に接合する。【構成】 半導体レーザ素子のオーミック電極であるn型電極9にNi層10、Au-Snはんだ層11を形成し、さらにこのはんだ層11を溶融して、金メッキ21aが施されたヒートシンク21に接合する。Ni層10の膜厚としては500Å以上とする。はんだ層11の溶融時に、Ni層10中のNiがはんだ層11に拡散し、はんだ層11中のSnがNi層10中に拡散するという相互拡散により、密着強度、塗れ性を向上させることができる。また、Ni層10の組成比をAu-Snはんだ層11に対し1.3wt%以上10wt%未満とすることにより、低い融点で接合行うことができ、しかも高い接合強度を得ることができる。
Claim (excerpt):
電気素子の電極を基台に接合する接合材料であって、Auを主体としたAu-Sn-Ni合金であり、Niの組成比が1.3wt%以上10wt%未満であることを特徴とする電気素子の接合材料。
IPC (2):
H01S 3/18 ,  H01L 23/40
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 半導体部品の接合方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-216856   Applicant:アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
  • 特開昭63-136533
  • 特開平2-260671

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