半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：布施行夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996150230
Publication number (International publication number)：1997312398
Application date： May. 22, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】縦型パワーMOSFETとSOI構造の横型MOSFETとを混載する場合に、縦型パワーMOSFETのドレイン電圧の影響で、絶縁膜上に存在するNMOSの、特に絶縁膜との界面におけるポテンシャルが低下し、そのために不要なバックチャネルが形成されること等を防止することである。【解決手段】前記横型絶縁ゲート型トランジスタの少なくともチャネル領域の下に、半導体基板の電位による影響を遮断するためのシールド手段(シールド電極)60を設ける。シールド電極60により、半導体基板の電位に起因する電界が遮断され、バックチャネルが形成されることが効果的に防止される。

Claim (excerpt)：

縦型の絶縁ゲート型トランジスタと横型の絶縁ゲート型トランジスタとを混載した半導体装置であって、前記縦型の絶縁ゲート型トランジスタは、半導体基板を構成要素の一つとしており、前記横型絶縁ゲート型トランジスタは、前記半導体基板を覆う絶縁膜上に形成されたSOI(Silicon On Insulator)構造のトランジスタであり、前記横型絶縁ゲート型トランジスタの少なくともチャネル領域の下には、前記半導体基板の電位による影響を遮断するためのシールド手段が設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 29/78 , H01L 21/76 , H01L 27/00 301 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8234 , H01L 27/06 , H01L 29/786

FI (7)：

H01L 29/78 656 C , H01L 27/00 301 H , H01L 21/76 S , H01L 27/04 H , H01L 27/06 102 D , H01L 27/06 311 B , H01L 29/78 613 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-066504 Applicant：日産自動車株式会社
特開平3-126255
特開平2-102569

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