加熱処理方法および加熱処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997074425
Publication number (International publication number)：1998256170
Application date： Mar. 11, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】ランプアニールにより効果的に被処理膜を加熱処理するための方法を提供する。【解決手段】基板101の上面側からは紫外光ランプ104を用いて紫外光107が照射される。また、基板101の下面側からは赤外光ランプ108を用いて赤外光111が照射される。本発明では赤外光照射による振動励起効果に加えて紫外光照射による電子励起効果が付加されるため、被処理膜103の励起効率が大幅に高まり、効果的な加熱処理が可能となる。

Claim (excerpt)：

透光性を有する基板上に形成された薄膜をランプ光源を用いて加熱処理する方法において、前記薄膜の上面側からは該薄膜を構成する原子の結合手を電子励起させうる波長領域の強光が照射され、かつ、それと同時に前記薄膜の下面側からは前記結合手を振動励起させうる波長領域の強光が照射されることを特徴とする加熱処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/26 , H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/26 F , H01L 21/20 , H01L 21/26 G , H01L 29/78 627 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平1-200615
多結晶半導体の製造方法及び画像表示デバイスの製造方法及び多結晶半導体の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-066010 Applicant：三洋電機株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-199982 Applicant：三洋電機株式会社

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