Pat
J-GLOBAL ID：200903059827820954

多結晶半導体の製造方法及び画像表示デバイスの製造方法及び多結晶半導体の製造装置

Inventor：
寺田 典裕

About 寺田 典裕

, 
原田 康樹

About 原田 康樹


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995066010
Publication number (International publication number)：1996051077
Application date： Mar. 24, 1995
Publication date： Feb. 20, 1996
Summary：
【要約】【目的】 半導体薄膜にレーザ光を照射して多結晶半導体を製造するにあたり、半導体薄膜に対する脱水素化処理が簡単に行えると共に、結晶状態が均一で、キャリアの移動度等の特性にも優れた膜荒れのない多結晶半導体が短時間で簡単に製造できるようにする。【構成】 半導体薄膜2にレーザ光を照射し、半導体薄膜を結晶化させて多結晶半導体を製造するにあたり、レーザ照射手段10からのレーザ光の照射に先立って、レーザ光の照射領域における半導体薄膜を前加熱手段20により加熱して脱水素化処理し、また必要に応じて、上記のようにレーザ光が照射された領域における半導体薄膜を後加熱手段30によって後加熱させるようにした。
Claim (excerpt)：
レーザ光を半導体薄膜に照射させて、半導体薄膜を結晶化させる多結晶半導体の製造方法において、上記レーザ光の照射に先立って、レーザ光の照射領域における半導体薄膜を加熱する前加熱手段を設けたことを特徴とする多結晶半導体の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (20)
  • 特開平4-124813
  • 特開平4-124813
  • 薄膜多結晶シリコンの製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-231780   Applicant：三洋電機株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM