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J-GLOBAL ID:200903099910816502

電界発光素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 蔵合 正博
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993273883
Publication number (International publication number):1995126615
Application date: Nov. 01, 1993
Publication date: May. 16, 1995
Summary:
【要約】【目的】 有機電界発光素子の発光安定性および保存安定性を改善する。【構成】 正孔輸送層の材料として、新規なテトラフェニルベンジジン化合物、トリフェニルアミン3量体、またはベンジジン2量体を用いる。テトラフェニルベンジジン化合物は下記の一般式を有する。【化1】ただし、R1 、R2 は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェニル基、低級アルキル基または低級アルコキシ基を置換基として有するフェニル基、R3 は水素原子、メチル基、メトキシ基、またはクロル原子を表す。また、R1、R2 の少なくとも一方は、ノルマルブチル基、イソブチル基、セカンダリブチル基、ターシャルブチル基、フェニル基、低級アルキル基または低級アルコキシ基を有するフェニル基を表す。別の正孔輸送層の材料として、上記3つの化合物から選定された少なくとも2種類を含む材料を用いることができる。
Claim (excerpt):
下記一般式で記述されるテトラフェニルベンジジン化合物を用いたことを特徴とする電界発光素子。【化1】ただし、R1 、R2 は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェニル基、低級アルキル基または低級アルコキシ基を置換基として有するフェニル基、R3 は水素原子、メチル基、メトキシ基、またはクロル原子を表す。また、R1、R2 の少なくとも一方は、ノルマルブチル基、イソブチル基、セカンダリブチル基、ターシャルブチル基、フェニル基、低級アルキル基または低級アルコキシ基を有するフェニル基を表す。
IPC (2):
C09K 11/06 ,  H05B 33/14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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