Pat
J-GLOBAL ID：200903099998606979

フッ化物イオンを含む半導体製造工程回収水の処理方法

Inventor：
本村 敬人

About 本村 敬人

, 
河上 恒雄

About 河上 恒雄


Applicant, Patent owner：
栗田工業株式会社

About 栗田工業株式会社


Agent (1)： 重野 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999006666
Publication number (International publication number)：2000202445
Application date： Jan. 13, 1999
Publication date： Jul. 25, 2000
Summary：
【要約】【課題】 フッ化物イオンを含む半導体洗浄工程回収水を再利用するに当り、超純水製造装置のRO膜装置におけるフッ化カルシウムスケールの生成を確実に防止して、処理水量、処理効率の向上と処理の安定化を図る。【解決手段】 フッ化物イオンを含む半導体製造工程回収水に、ヘキサメタリン酸ナトリウム、トリポリリン酸ナトリウム又はホスホン酸系化合物を添加した後、逆浸透膜分離処理する。
Claim (excerpt)：
フッ化物イオンを含む半導体製造工程回収水に、ヘキサメタリン酸ナトリウム、トリポリリン酸ナトリウム及びホスホン酸系化合物よりなる群から選ばれる1種又は2種以上の薬剤を添加した後、逆浸透膜分離処理することを特徴とするフッ化物イオンを含む半導体製造工程回収水の処理方法。
IPC (2)：
C02F 1/44 CDG ,  C02F 1/44 ZAB
FI (2)：
C02F 1/44 CDG E ,  C02F 1/44 ZAB
F-Term (20)：
4D006GA03 ,  4D006KA02 ,  4D006KA03 ,  4D006KA33 ,  4D006KB11 ,  4D006KB12 ,  4D006KB14 ,  4D006KD19 ,  4D006KD30 ,  4D006KE06P ,  4D006KE11R ,  4D006KE12P ,  4D006KE15P ,  4D006KE19P ,  4D006PA01 ,  4D006PB07 ,  4D006PB08 ,  4D006PB27 ,  4D006PB28 ,  4D006PC02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 特開昭52-151670
  • 特開昭64-080406
  • 純水製造装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-077830   Applicant：栗田工業株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM