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J-GLOBAL ID：201002011489703780   Reference number：79A0118948

Growth and morphology of 6H-SiC epitaxial layers by CVD.

CVDによる6H-SiCのエピタキシャル層の成長と形態

Author (3)： NISHINO S ,  MATSUNAMI H ,  TANAKA T
Material： J Cryst Growth  (Journal of Crystal Growth)
Volume： 45  Page： 144-149  Publication year： 1978 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  CODEN： JCRGA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： 炭化けい素 ,...

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Terms in the title (5)： CVD ,  6H-SiC ,  エピタキシャル層 ,  成長 ,  形態