Art

J-GLOBAL ID：201002201402034511   Reference number：10A0680395

Yttrium-scandium oxide as high-k gate dielectric for germanium metal-oxide-semiconductor devices

ゲルマニウムを基本とする金属-酸化物-半導体素子への応用を目指したハイ-kゲート誘電体としての酸化イットリウムスカンジウム

Author (8)： BERA M K (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  SONG J (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  AHMET P (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  KAKUSHIMA K (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  TSUTSUI K (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  SUGII N (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  HATTORI T (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  IWAI H (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
Material： Semiconductor Science and Technology  (Semicond Sci Technol)
Volume： 25  Issue： 6  Page： 065008,1-7  Publication year： Jun. 2010 
JST Material Number： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： oxide ,  yttrium compound ,  scandium compound ,  dielectric material ,  gate(semiconductor) ,  dielectric thin film ,  *germanium ,  semiconductor ,  *MOS structure ,  X-ray photoelectron spectrum ,  band-offset ,  germanate ,  interface(surface) ,  voltage ,  capacitance-voltage characteristic ,  *MOSFET
Semi thesaurus term： high-k material ,  flat band voltage

JST classification (2)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： ゲルマニウム ,  酸化物 ,  半導体素子 ,  応用 ,  ゲート誘電体 ,  酸化イットリウム ,  スカンジウム