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J-GLOBAL ID：201002202088583498   Reference number：10A0268045

4H-SiC(0001)表面上のグラフェン形成過程の組成・構造解析

Author (14)： MATSUI HISASUKE (奈良先端科学技術大学院大) ,  MATSUI FUMIHIKO (奈良先端科学技術大学院大) ,  HASHIMOTO MIE (奈良先端科学技術大学院大) ,  GOTO KENTARO (奈良先端科学技術大学院大) ,  NISHIKAYAMA NORIYUKI (奈良先端科学技術大学院大) ,  MAEJIMA NAOYUKI (奈良先端科学技術大学院大) ,  TANAKA KO (奈良先端科学技術大学院大) ,  MATSUSHITA TOMOHIRO (JASRI/SPring-8) ,  KATO YUKAKO (JASRI/SPring-8) ,  OKAMOTO TAKESHI (大阪大 大学院) ,  HATTORI AZUSA (大阪大 大学院) ,  SANO YASUHISA (大阪大 大学院) ,  YAMAUCHI KAZUTO (大阪大 大学院) ,  DAIMON HIROSHI (奈良先端科学技術大学院大)
Material： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
Volume： 65  Issue： 1 第4分冊  Page： 949  Publication year： Mar. 01, 2010 
JST Material Number： S0671B  ISSN： 1342-8349  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： silicon carbide ,  *Graphite ,  structure analysis ,  *Photoelectron Spectroscopy ,  circularly polarized light ,  *surface structure ,  temperature dependence ,  semiconductor ,  *graphene ,  *structure
Semi thesaurus term： 円偏光二次元光電子分光法

JST classification (1)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (5)： 4H-SiC ,  グラフェン ,  形成過程 ,  組成 ,  構造解析