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J-GLOBAL ID：201002208099214034   Reference number：10A1041239

Crystallographic Properties of Ge/Si Heterojunctions Fabricated by Wet Wafer Bonding

ウェットウエハボンディングにより作製したGe/Siヘテロ接合の結晶性質

Author (4)： KANBE Hiroshi (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  HIROSE Mami (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  ITO Tatsuya (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  TANIWAKI Masafumi (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
Material： Journal of Electronic Materials  (J Electron Mater)
Volume： 39  Issue： 8  Page： 1248-1255  Publication year： Aug. 2010 
JST Material Number： D0277B  ISSN： 0361-5235  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *heterojunction ,  micro circuit technique ,  *avalanche photodiode ,  wet method ,  *annealing (heat treatment) ,  reforming ,  joint (part) ,  Germanium ,  silicon ,  silicon base alloy ,  transition layer ,  silicon germanium alloy
Semi thesaurus term： SiGe alloy ,  annealing (heat treatment) ,  wet process ,  *wafer bonding

JST classification (2)： Photodetectors  (NC03083X) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (6)： ウエハボンディング ,  作製 ,  Ge ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  結晶性質