Art

J-GLOBAL ID：201002211511551300   Reference number：10A0618735

Semipolar GaN films on patterned r-plane sapphire obtained by wet chemical etching

ウェット化学エッチングにより得たパターン化したr面サファイア上の半極性GaN膜

Author (5)： DE MIERRY P. (CNRS-CRHEA, rue Bernard Gregory, Sophia-Antipolis, F-06560 Valbonne, FRA) ,  KRIOUCHE N. (CNRS-CRHEA, rue Bernard Gregory, Sophia-Antipolis, F-06560 Valbonne, FRA) ,  NEMOZ M. (CNRS-CRHEA, rue Bernard Gregory, Sophia-Antipolis, F-06560 Valbonne, FRA) ,  CHENOT S. (CNRS-CRHEA, rue Bernard Gregory, Sophia-Antipolis, F-06560 Valbonne, FRA) ,  NATAF G. (CNRS-CRHEA, rue Bernard Gregory, Sophia-Antipolis, F-06560 Valbonne, FRA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 96  Issue： 23  Page： 231918  Publication year： Jun. 07, 2010 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *etching ,  sapphire ,  *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  pattern formation ,  facet ,  X-Ray Diffraction ,  *cathodoluminescence ,  *photoluminescence ,  semiconductor thin film ,  wet etching ,  ore ,  precious stone
Semi thesaurus term： chemical etching

JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (4)： 化学エッチング ,  サファイア ,  半極性 ,  GaN