Art

J-GLOBAL ID：201002216657502621   Reference number：10A0723073

Real-time Analysis of Initial Oxidation Process on Si(001) by Means of Surface Differential Reflectance Spectroscopy and Reflectance Difference Spectroscopy

表面差分反射分光と反射率差分光を用いたSi(001)表面初期酸化過程のリアルタイム解析

Author (3)： ONO SHIN'YA (横浜国立大学工学部知能物理工学科) ,  SHUDO KEN'ICHI (横浜国立大学工学部知能物理工学科) ,  TANAKA MASATOSHI (横浜国立大学工学部知能物理工学科)
Material： Journal of the Vacuum Society of Japan  (真空)
Volume： 53  Issue： 6  Page： 413-420 (J-STAGE)  Publication year： 2010 
JST Material Number： G0194A  ISSN： 1882-2398  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： semiconductor ,  *silicon ,  oxidation ,  *adsorption ,  *oxygen ,  model ,  adsorption equilibrium ,  spectrochemical analysis ,  reflection spectrum ,  time ,  reflectivity ,  two dimension ,  island structure ,  monomolecular layer ,  oxide ,  Arrhenius equation ,  activation energy ,  *surface structure ,  real time processing
Semi thesaurus term： Langmuir model ,  示差反射分光分析 ,  actual time

JST classification (2)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A) ,  Study of adsorption by physical means  (CB12043P)

Reference (47)：

• 1) D. E. Aspnes, J. P. Harbison, A. A. Studna and L. T. Florez: J. Vac. Sci. Technol. A, 6 (1988) 1327.
• 2) N. Kobayashi and Y. Horikoshi: Jpn. J. Appl. Phys., 28 (1989) L1880.
• 3) J. F. McGilp: Prog. Surf. Sci., 49 (1995) 1.
• 4) P. Weightman, D. S. Marin, R. J. Cole and T. Farrell: Rep. Prog. Phys., 68 (2005) 1251.
• 5) C. Beitia, W. Preyss R. Del Sole and Y. Borensztein: Phys. Rev. B, 56 (1997) R4371.

Terms in the title (9)： 差分 ,  分光 ,  反射率 ,  Si ,  初期 ,  酸化 ,  過程 ,  リアルタイム ,  解析