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J-GLOBAL ID：201002218181137418   Reference number：10A0472255

Realization of an extremely low reflectance surface based on InP porous nanostructures for application to photoelectrochemical solar cells

光電気化学太陽電池への応用のためのInP多孔性ナノ構造体に基づく極低反射率表面の実現

Author (3)： SATO Taketomo (Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido Univ., Sapporo, 060-8628, JPN) ,  YOSHIZAWA Naoki (Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido Univ., Sapporo, 060-8628, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido Univ., Sapporo, 060-8628, JPN)
Material： Thin Solid Films
Volume： 518  Issue： 15  Page： 4399-4402  Publication year： May. 31, 2010 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *photoelectrochemical cell ,  *solar cell ,  *indium phosphide ,  porosity (property) ,  *nanostructure ,  reflectivity ,  anodizing ,  scanning electron microscope ,  electron microscopy ,  *photoelectrochemical reaction ,  ultraviolet and visible absorption spectrum ,  infrared absorption spectrum ,  cyclic voltammetry ,  *etching ,  *antireflection film ,  nano-wall ,  Nanopores

JST classification (2)： Solar cell  (NC03084O) ,  Electrochemical reaction  (CB07050F)

Terms in the title (7)： 光電気化学 ,  太陽電池 ,  応用 ,  InP ,  多孔性 ,  ナノ構造体 ,  反射率