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J-GLOBAL ID：201002220794143016   Reference number：10A0465149

Contact Property and Microstructure of Ni/Nb Electrode to 4H-SiC

4H-SiC上へのNi/Nb電極のコンタクト特性と微細構造

Author (3)： JUNG Kunhwa (Tohoku Univ.,) ,  SUTOU Yuji (Tohoku Univ.,) ,  KOIKE Junichi (Tohoku Univ.,)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
Volume： 57th  Page： ROMBUNNO.19P-TN-13  Publication year： Mar. 03, 2010 
JST Material Number： Y0054B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  compound semiconductor ,  N-type semiconductor ,  *nickel ,  *niobium ,  *electrode ,  metallic thin film ,  multilayer film ,  *metal-semiconductor junction ,  *ohmic contact ,  contact resistance ,  current-voltage characteristic
Semi thesaurus term： 4H-SiC

JST classification (2)： Metallic thin films  (BK14030T) ,  Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Terms in the title (5)： 4H-SiC ,  Ni ,  Nb ,  コンタクト ,  微細構造