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J-GLOBAL ID：201002221929278363   Reference number：10A0246918

Device applications of IV-VI semiconductor films and superlattices prepared by hot wall epitaxy

ホットウォールエピタキシー法によるIV-VI族半導体薄膜・超格子の作製とデバイス応用

Author (1)： ISHIDA AKIHIRO (静岡大 工)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 79  Issue： 3  Page： 243-247  Publication year： Mar. 10, 2010 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *epitaxy ,  semiconductor thin film ,  compound semiconductor ,  superlattice ,  infrared laser ,  *quantum well laser ,  lead telluride ,  *telluride (chalcogenide) ,  tin compound ,  europium compound ,  transport coefficient ,  band-offset ,  *thermoelectromotive force ,  *multiple quantum well ,  heterojunction ,  *quantum cascade laser ,  Seebeck coefficient ,  *hot-wall epitaxy

JST classification (3)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P) ,  Semiconductor lasers  (BD04070L)

Reference (27)：

• LOPEZ-OTERO, A. Appl. Phys. Lett. 1975, 26, 470
• KINOSHITA, H. J. Appl. Phys. 1980, 51, 5845
• MURASE, K. Superlattices & Microstructures. 1985, 1, 177
• ISHIDA, A. J. Appl. Phys. 1985, 58, 1901
• ISHIDA, A. Jpn. J. Appl. Phys. 1985, 24, L956

Terms in the title (6)： ホットウォールエピタキシー法 ,  IV-VI族半導体 ,  薄膜 ,  格子 ,  作製 ,  応用