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J-GLOBAL ID：201002223856575740   Reference number：10A0031449

Hybrid p-n junction light-emitting diodes based on sputtered ZnO and organic semiconductors

スパッタZnOと有機半導体に基づくハイブリッドpn接合発光ダイオード

Author (4)： NA Jong H. (Inst. for Nano Quantum Information Electronics, Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8504, JPN) ,  KITAMURA M. (Inst. for Nano Quantum Information Electronics, Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8504, JPN) ,  ARITA M. (Inst. for Nano Quantum Information Electronics, Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8504, JPN) ,  ARAKAWA Y. (Inst. for Nano Quantum Information Electronics, Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8504, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 95  Issue： 25  Page： 253303  Publication year： Dec. 21, 2009 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： sputtered deposition ,  *zinc oxide ,  *organic semiconductor ,  hybrid composite material ,  PN junction ,  *light emitting diode ,  low temperature ,  organic material ,  N-type semiconductor ,  P-type semiconductor ,  rectification (electric) ,  current density ,  electroluminescence ,  carrier recombination ,  price ,  area ,  organic thin film

JST classification (3)： Light emitting devices  (NC03082G) ,  Oxide thin films  (BK14050P) ,  Thin films of organic compounds  (BK14070L)

Terms in the title (5)： スパッタ ,  ZnO ,  有機半導体 ,  PN接合 ,  発光ダイオード