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J-GLOBAL ID：201002234201696040   Reference number：10A0695204

Determination of Piezoelectric Fields Across InGaN/GaN Quantum Wells by Means of Electron Holography

電子ホログラフィ法によるInGaN/GaN量子井戸内の圧電場の計測

Author (3)： DEGUCHI Masashi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TANAKA Shigeyasu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TANJI Takayoshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Journal of Electronic Materials  (J Electron Mater)
Volume： 39  Issue： 6  Page： 815-818  Publication year： Jun. 2010 
JST Material Number： D0277B  ISSN： 0361-5235  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium compound ,  gallium compound ,  nitride ,  *Holography ,  *quantum well ,  gallium nitride ,  light emitting diode ,  *electric field ,  Luminescence ,  *piezoelectricity ,  internal electric field ,  *gallium indium nitride ,  electron beam holography
Semi thesaurus term： GAN ,  *InGaN ,  *圧電場 ,  electron beam holography

JST classification (3)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Piezoelectricity,pyroelectricity,electret  (BM05040M) ,  Particle optics in general  (BD02010J)

Terms in the title (6)： 電子ホログラフィ ,  InGaN ,  GaN ,  量子井戸 ,  圧電 ,  計測