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J-GLOBAL ID：201002235912234754   Reference number：10A0053097

Numerical simulation of GaN single-crystal growth process in ammonothermal autoclave - Effects of baffle shape

アンモニア熱オートクレーブでのGaN単結晶成長プロセスに関する数値シミュレーション-バッフル形状の影響

Author (7)： MASUDA Y. (Res. Center for Compact Chemical Process, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 4-2-1 Nigatake ...) ,  SUZUKI A. (Res. Center for Compact Chemical Process, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 4-2-1 Nigatake ...) ,  MIKAWA Y. (Mitsubishi Chemical Corp., 1000, Higashi-Mamiana, Ushiku 300-1295, JPN) ,  KAGAMITANI Y. (Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  ISHIGURO T. (Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  YOKOYAMA C. (Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  TSUKADA T. (Tohoku Univ., 6-6-07, Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, JPN)
Material： International Journal of Heat and Mass Transfer  (Int J Heat Mass Transfer)
Volume： 53  Issue： 5-6  Page： 940-943  Publication year： Feb. 2010 
JST Material Number： C0390A  ISSN： 0017-9310  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *single crystal ,  *crystal growth ,  *autoclave ,  natural convection ,  convection heat transfer ,  application program ,  analytical model ,  simulation ,  *baffle plate ,  *Ammonia ,  shape effect ,  temperature distribution ,  flow velocity distribution ,  Numerical Simulation ,  computational fluid dynamics ,  heat transfer ,  fluid dynamics ,  Physics ,  Science ,  Mechanics ,  continuum mechanics ,  natural science
Semi thesaurus term： computational fluid dynamics

JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Convective and radiative heat transfer  (PA02030K)

Terms in the title (6)： アンモニア ,  オートクレーブ ,  GaN ,  単結晶成長 ,  プロセス ,  数値シミュレーション