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J-GLOBAL ID：201002236187535855   Reference number：10A0523670

Removal of near-interface traps at SiO₂/4H-SiC (0001) interfaces by phosphorus incorporation

リン組み込みによるSiO₂/4H-SiC(0001)界面における界面近傍トラップの除去

Author (4)： OKAMOTO Dai (Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, JPN) ,  YANO Hiroshi (Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, JPN) ,  HATAYAMA Tomoaki (Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, JPN) ,  FUYUKI Takashi (Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara 630-0192, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 96  Issue： 20  Page： 203508  Publication year： May. 17, 2010 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,  *silicon carbide ,  *silicon oxide ,  capacitance-voltage characteristic ,  dielectric relaxation ,  oxidation ,  annealing(phenomenon) ,  *phosphorus ,  doping ,  mobility(ratio)
Semi thesaurus term： *interface trap ,  interface state

JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Surface structure of solids in general  (BK15010E)

Terms in the title (6)： リン ,  組み込み ,  SiO2 ,  界面 ,  界面近傍 ,  トラップ