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J-GLOBAL ID：201002247319283895   Reference number：10A0322096

High responsivity and internal gain mechanisms in Au-ZnMgO Schottky photodiodes

Au-ZnMgO Schottkyフォトダイオードの高応答性と内部利得機構

Author (8)： TABARES G. (Dpto. Ingenieria Electronica, ISOM, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, ESP) ,  HIERRO A. (Dpto. Ingenieria Electronica, ISOM, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, ESP) ,  ULLOA J. M. (Dpto. Ingenieria Electronica, ISOM, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, ESP) ,  GUZMAN A. (Dpto. Ingenieria Electronica, ISOM, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, ESP) ,  MUNOZ E. (Dpto. Ingenieria Electronica, ISOM, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad Universitaria s/n, 28040 Madrid, ESP) ,  NAKAMURA A. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN) ,  HAYASHI T. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN) ,  TEMMYO J. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 96  Issue： 10  Page： 101112  Publication year： Mar. 08, 2010 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *photodiode ,  *Schottky barrier diode ,  *response characteristic ,  zinc compound ,  manganese compound ,  oxide ,  conductive property ,  electric current ,  gain ,  Gold
Semi thesaurus term： response ,  tunnel current ,  内部利得

JST classification (1)： Photodetectors  (NC03083X)

Terms in the title (4)： Au ,  フォトダイオード ,  応答性 ,  利得