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J-GLOBAL ID：201002250026533758   Reference number：10A0465579

サファイア基板上SiドープBNのFME成長

Author (2)： KOBAYASHI YASUYUKI (NTT 物性科学基礎研) ,  AKASAKA TETSUYA (NTT 物性科学基礎研)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
Volume： 57th  Page： ROMBUNNO.18P-TC-1  Publication year： Mar. 03, 2010 
JST Material Number： Y0054B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *boron nitride ,  substrate (plate) ,  Ammonia ,  silane ,  *epitaxy ,  chemical vapor deposition ,  MOCVD ,  temperature dependence ,  compound semiconductor ,  X-Ray Diffraction ,  *electrical conductivity ,  electrical resistivity ,  doping ,  silicon ,  semiconductor thin film ,  sapphire substrate ,  hexagonal boron nitride
Semi thesaurus term： metal organic vapor phase epitaxy ,  resistivity ,  *流量変調エピタクシー

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Substance index (1)： Triethylborane

Terms in the title (5)： サファイア基板 ,  Si ,  ドープ ,  BN ,  成長