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J-GLOBAL ID：201002252249124321   Reference number：10A0682361

Hole-Injection-Type and Electron-Injection-Type Silicon Avalanche Photodiodes Fabricated by Standard 0.18-μm CMOS Process

標準0.18μm CMOSプロセスで製作した正孔注入型および電子注入型シリコンアバランシェフォトダイオード

Author (3)： IIYAMA Koichi (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  TAKAMATSU Hideki (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  MARUYAMA Takeo (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
Material： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Transactions Photonics Technology Letters)
Volume： 22  Issue： 9/12  Page： 932-934  Publication year： May. 01, 2010 
JST Material Number： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *avalanche photodiode ,  carrier injection ,  semiconductor process ,  CMOS structure ,  signal transmission ,  semiconductor integrated circuit ,  *optical integrated circuit ,  bandwidth
Semi thesaurus term： *CMOS process ,  data transmission ,  monolithic integrated circuit ,  optical transmission ,  hole injection ,  electron injection

JST classification (2)： Optical integrated circuits,integrated optics  (BD06050D) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (7)： 標準 ,  CMOSプロセス ,  製作 ,  正孔注入 ,  電子注入 ,  シリコン ,  アバランシェフォトダイオード