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J-GLOBAL ID：201002252352771068   Reference number：10A0105842

Si substrate processing by ethanol cluster ion beam technique

エタノールクラスターイオンビームを用いたシリコン基板の微細加工

Author (4)： MUKAI HIROSHI (京大 工学研究科 光・電子理工学教育研究セ) ,  RYUTO HIROMICHI (京大 工学研究科 光・電子理工学教育研究セ) ,  TAKEUCHI MITSUAKI (京大 工学研究科 光・電子理工学教育研究セ) ,  TAKAOKA GIKAN (京大 工学研究科 光・電子理工学教育研究セ)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 109  Issue： 321(SDM2009 151-170)  Page： 39-41  Publication year： Nov. 27, 2009 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *wafer ,  semiconductor material ,  *fine patterning ,  photoresist ,  sputtered deposition ,  ion beam ,  cluster ion ,  ion irradiation ,  *Si wafer
Semi thesaurus term： *silicon substrate ,  sputter deposition ,  ion beam irradiation

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (4)：

• YAMADA, I. Nucl, Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B. 1999, 148
• RYUTO, H. Applied Phys. Express. 2009, 2, 016504
• HAGENA, O. F. J. Chem. Phys. 1972, 56, 1793
• TAKAOKA, G. H. Rev. Sci. Instrum. 2008, 79, 02B305

Terms in the title (2)： シリコン基板 ,  微細加工