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J-GLOBAL ID：201002256777474887   Reference number：10A0798613

Single-Electron Transport through Single Dopants in a Dopant-Rich Einvironment

ドーパントに富む環境における単一ドーパントを通る単一電子輸送

Author (8)： TABE Michiharu (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  MORARU Daniel (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  LIGOWSKI Maciej (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  LIGOWSKI Maciej (Warsaw Univ. Technol., Warsaw, POL) ,  ANWAR Miftahul (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  JABLONSKI Ryszard (Warsaw Univ. Technol., Warsaw, POL) ,  ONO Yukinori (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  MIZUNO Takeshi (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
Material： Physical Review Letters  (Phys Rev Lett)
Volume： 105  Issue： 1  Page： 016803.1-016803.4  Publication year： Jul. 02, 2010 
JST Material Number： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： dopant ,  SOI structure ,  doping ,  phosphorus ,  force microscope ,  low temperature ,  carrier capture ,  *current-voltage characteristic ,  source ,  drain (semiconductor) ,  voltage ,  gate (semiconductor) ,  *FET ,  silicon ,  semiconductor ,  single electron transport ,  Kelvin probe force microscope
Semi thesaurus term： gate voltage

JST classification (2)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： ドーパント ,  環境 ,  単一電子輸送