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J-GLOBAL ID：200901062948933520   Update date: Feb. 14, 2024

TABE Michiharu

タベ ミチハル | TABE Michiharu
Affiliation and department：
Shizuoka University Research Institute of Electronics - Advanced Device research Division

About Shizuoka University Research Institute of Electronics - Advanced Device research Division


Other affiliations (1)：
  • Shizuoka University  Faculty of Engineering - Department of Electronics and Materials Science 
Homepage URL  (1)： http://www.rie.shizuoka.ac.jp/~nanohome
Research field  (1)： Electronic devices and equipment
Research keywords  (3)： resonant tunneling ,  single electron tunneling ,  silicon
Research theme for competitive and other funds  (36)：
  • 2015 - 2016 シリコンナノ構造を基盤としたドーパント原子デバイスの開発
  • 2014 - 2015 Siナノpn接合を用いたドーパント原子型トンネルダイオード
  • 2014 - 2015 シリコンナノ構造を基盤としたドーパント原子デバイスの開発
  • 2013 - 2014 Siナノpn接合を用いたドーパント原子型トンネルダイオード
  • 2013 - 2014 シリコンナノ構造を基盤としたドーパント原子デバイスの開発
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Papers (170)：
  • Comparative study of donor-induced quantum dots in Si nano-channels by single-electron transport. 2015. 117. (num). 244307-1
  • Tunneling transport in quantum dots formed by coupled dopant atoms. 2015. 1117. 78-81
  • Kelvin Probe Force Microscope Observation of Donors' Arrangement in Si Transistor Channel. 2015. 1117. 82-85
  • Transport spectroscopy of coupled donors in silicon nano-transistors. 2014. 4. 6219-1
  • The impacts of electronic states hybridization on the binding energy of single phosphorus donor electrons in extremely downscaled silicon nanostructures. 2014. 116. 6. 063705-1
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MISC (236)：
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Books (12)：
  • Toward Quantum FinFET
    Springer 2013
  • Single Atom Nanoelectronics
    Pan Stanford Publishing 2013
  • ナノシリコンの最新技術と応用展開
    シーエムシー出版 2010
  • 電子情報通信学会「知識ベース」
    オーム社 2010
  • シリコンフォトニクス -先端光テクノロジーの新展開-
    オーム社 2007
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Lectures and oral presentations  (368)：
  • Atomic and Molecular Effects based on Dopants in Silicon Nanodevices
    (Inernational Conference on Small Science (ICSS Meeting) 2015)
  • Dynamical modification of the equivalent circuit with the bias voltage in a multiple-dopant system
    (The 17th Takayanagi Memorials Symposium 2015)
  • 個別ドーパントの物理と利用:FETとエサキダイオード
    (The2nd De Novo Si Workshop~現役シニアからの発信 2015)
  • Effect of Individual Dopants in Nano-SOI-MOSFETs and Nano-pn-Diodes
    (228th ECS Meeting 2015)
  • Impact of dopant atoms on electron tunneling into nanoscale-transistor channels
    (Inter-Academia 2015 2015)
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Education (4)：
  • - 1975 Keio University
  • - 1975 Keio University Graduate School, Division of Engineering
  • - 1973 Keio University
  • - 1973 Keio University Faculty of Engineering
Professional career (1)：
  • 工学博士 (慶應義塾大学)
Work history (7)：
  • 1994 - 現在 Shizuoka University Research Institute of Electronics
  • 1994 - 現在 Professor, Shizuoka University
  • 1975 - 1994 NTT LSI研究所 主幹研究員
  • 1975 - 1994 Senior Researcher, NTT LSI laboratories
  • 1984 - この間、1984-85 スタンフォード大学客員研究員
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Committee career (5)：
  • 2007 - 2009 日本表面科学会 理事、中部支部 支部長
  • 2005 - 応用物理学会 代議員
  • 2000 - 2003 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究専門委員会 専門委員
  • 2002 - 日本学術振興会 未踏・ナノデバイステクノロジー第151委員会 幹事
  • 1999 - 応用物理学会 薄膜・表面物理分科会 幹事
Awards (9)：
  • 2015/08 - インドネシア大学電気工学科50周年貢献賞
  • 2014/03 - 第5回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会「論文賞」(論文タイトル:Electron-tunneling operation of single-donor-atom transistors at elevated temperatures)
  • 2014/01 - 静岡大学卓越研究者
  • 2012/09 - オブダ大学名誉教授
  • 2012/04 - 平成24年度科学技術分野の文部科学大臣表彰 科学技術賞 研究部門
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Association Membership(s) (5)：
日本学術振興会 ,  日本物理学会 ,  電子情報通信学会 ,  応用物理学会 ,  日本表面科学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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