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J-GLOBAL ID：201002262351215167   Reference number：10A0054517

High-performance poly(3-hexylthiophene) top-gate transistors incorporating TiO₂ nanocomposite dielectrics

TiO₂ナノ複合誘電体を挿入した高性能ポリ(3-ヘキシルチオフェン)トップゲートトランジスタ

Author (4)： YANG Feng-yu (Materials and Chemical Laboratories, Industrial Technol. Res. Inst., 195, Sec. 4, Chung Hsing Road, Chutung, Hsinchu ...) ,  HSU Meei-yu (Materials and Chemical Laboratories, Industrial Technol. Res. Inst., 195, Sec. 4, Chung Hsing Road, Chutung, Hsinchu ...) ,  HWANG Gue-wuu (Materials and Chemical Laboratories, Industrial Technol. Res. Inst., 195, Sec. 4, Chung Hsing Road, Chutung, Hsinchu ...) ,  CHANG Kuo-jui (Dep. of Electronics Engineering and Inst. of Electronics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
Material： Organic Electronics  (Org Electron)
Volume： 11  Issue： 1  Page： 81-88  Publication year： Jan. 2010 
JST Material Number： W1352A  ISSN： 1566-1199  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Polymethyl Methacrylate ,  *polyvinyl phenol ,  *titanium oxide ,  nano particle ,  Nanocomposites ,  dual structure ,  *FET ,  gate (semiconductor) ,  *insulating material ,  *poly(hexylthiophene) ,  crosslinking agent ,  melamine resin ,  anatase ,  electron microscopy ,  atomic force microscope ,  homogeneity ,  voltage ,  carrier mobility ,  switching ,  buffer layer ,  *insulator

JST classification (3)： Physical properties of polymer solids  (CG02024U) ,  Dielectrics in general  (BM05010F) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： TiO2 ,  ナノ複合誘電体 ,  高性能 ,  3-ヘキシルチオフェン