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J-GLOBAL ID：201002270863994357   Reference number：10A1093135

Atomically Thin MoS₂: A New Direct-Gap Semiconductor

原子的に薄いMoS₂:新しい直接ギャップ半導体

Author (5)： MAK Kin Fai (Columbia Univ., New York, USA) ,  LEE Changgu (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  HONE James (Columbia Univ., New York, USA) ,  SHAN Jie (Case Western Reserve Univ., Ohio, USA) ,  HEINZ Tony F. (Columbia Univ., New York, USA)
Material： Physical Review Letters  (Phys Rev Lett)
Volume： 105  Issue： 13  Page： 136805.1-136805.4.  Publication year： Sep. 24, 2010 
JST Material Number： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *molybdenum sulfide ,  *ultrathin film ,  compound semiconductor ,  *band structure ,  electronic transition ,  monomolecular layer ,  *photoluminescence ,  visible emission spectrum ,  optical absorption spectrum ,  membrane and film ,  photoconductivity ,  quantum confinement ,  quantum efficiency ,  direct transition ,  free standing film

JST classification (2)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (2)： 原子 ,  MoS2